[发明专利]磁阻设备及其方法

权利要求书

1.一种制造磁阻设备的方法，包括：

(a)在基板上形成磁阻堆叠的一个或多个区域，其中基板包括至少一个电子设备，并且其中磁阻堆叠的所述一个或多个区域包括固定区域、自由区域以及布置在固定区域和自由区域之间的介电区域；

(b)对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻；

(c)在步骤(b)之后对其上形成有所述一个或多个区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在400-500℃之间的第一温度下执行并且是被配置为对所述至少一个电子设备和形成在基板上的所述一个或多个区域两者退火的组合退火步骤，其中所述唯一退火工艺在对自由区域进行构图或蚀刻之后和对介电区域进行构图或蚀刻之前执行；以及

(d)在步骤(c)之后，在低于第一温度的第二温度下对基板执行所有低温BEOL处理。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个电子设备是晶体管。

3.如权利要求1所述的方法，其中对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻包括对介电区域进行构图或蚀刻。

4.如权利要求1所述的方法，其中对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻包括对固定区域进行构图或蚀刻。

5.如权利要求1所述的方法，其中基板中的所述至少一个电子设备在执行所述唯一退火工艺之前不被退火。

6.如权利要求1所述的方法，其中执行唯一退火工艺包括：将其上形成有所述一个或多个区域的基板暴露于1-6个大气压之间的压力下。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述唯一退火工艺在对磁阻堆叠的固定区域、自由区域和介电区域进行构图或蚀刻之后执行。

8.一种制造磁阻设备的方法，包括：

在基板上形成磁阻堆叠的多个区域，其中基板包括至少一个电子设备；

对磁阻堆叠的第一部分进行构图或蚀刻；

在对磁阻堆叠的第一部分进行构图或蚀刻的步骤之后，对其上形成有所述磁阻堆叠的基板执行退火工艺，其中该退火工艺在对所述磁阻堆叠的所述多个区域中的一些区域进行构图或蚀刻之后和对所述磁阻堆叠的所述多个区域中的全部区域进行构图或蚀刻之前执行，其中该退火工艺在400-500℃之间的第一温度下执行并且是被配置为对所述至少一个电子设备和形成在基板上的所述多个区域两者退火的组合退火步骤；

在该退火工艺之后，对磁阻堆叠的第二部分进行构图或蚀刻；以及

在低于第一温度的第二温度下对基板执行所有低温BEOL处理。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述至少一个电子设备是晶体管。

10.如权利要求8所述的方法，其中磁阻堆叠的所述多个区域包括固定区域、自由区域以及布置在固定区域和自由区域之间的中间区域，并且其中(a)对第一部分进行构图或蚀刻包括：对磁阻堆叠的在中间区域上方的若干区域进行构图或蚀刻，以及(b)对第二部分进行构图或蚀刻包括：对磁阻堆叠的在第一部分下方的若干区域进行构图或蚀刻。

11.如权利要求8所述的方法，其中磁阻堆叠的所述多个区域包括固定区域、自由区域以及布置在固定区域和自由区域之间的介电区域，并且其中第一部分至少包括固定区域、自由区域和介电区域，并且第二部分包括磁阻堆叠的在第一部分下方的若干区域。

12.如权利要求8所述的方法，其中磁阻堆叠是磁隧道结。

13.如权利要求8所述的方法，其中磁阻堆叠的所述多个区域包括固定区域、自由区域以及布置在固定区域和自由区域之间的介电区域，并且其中对磁阻堆叠的第一部分进行构图或蚀刻包括至少对固定区域进行构图或蚀刻。