[发明专利]用于制造晶体管的方法

摘要

本发明说明了一种用于制造晶体管、尤其是基于高电子迁移率的氮化镓晶体管的方法。在第一栅极区域中借助暂时形成的经结构化的第一光刻胶层形成经结构化的金属层，沉积中间层(ZS)并且沉积第二绝缘层(IS2)，随后使第二光刻胶层(FL2)结构化，以便暴露第二栅极区域(GB2)，其中，随后第一场板(FP1)和第二场板(FP2)在第二栅极区域的各自的侧上形成为埋入的场板。

主权项

1.用于制造晶体管、尤其是基于高电子迁移率的氮化镓晶体管的方法，其中，实施下列步骤：‑提供在承载材料上具有多个有源层的基底，在所述有源层上方构造有用于漏极接触部和源极接触部的接触区域，其中，在所述源极接触部与所述漏极接触部之间的区域覆盖有第一绝缘层，‑在第一栅极区域中借助暂时形成的经结构化的第一光刻胶层形成经结构化的金属层，‑沉积第二绝缘层，‑沉积中间层，‑使第二光刻胶层结构化，以便暴露第二栅极区域，所述第二栅极区域的侧向延伸小于所述第一栅极区域的侧向延伸，‑在所述第二栅极区域中借助第二光刻胶层去除第一中间层、所述第二绝缘层和所述金属层，从而在所述第二栅极区域的两侧形成第一场板和第二场板，‑去除所述第二光刻胶层，‑在所述第二栅极区域中形成朝基底表面向彼此延伸的侧向的间距保持体，并且‑在部分去除所述第一绝缘层之后形成栅电极，所述栅电极具有在所述间距保持体之间的栅极支脚和部分遮盖所述金属层和所述第一绝缘层的栅极头部。