[发明专利]用于制造晶体管的方法

权利要求书

1.用于制造晶体管的方法，其中，实施下列步骤：

- 提供在承载材料上具有多个有源层的基底，在所述有源层上方构造有用于漏极接触部和源极接触部的接触区域，其中，在所述源极接触部与所述漏极接触部之间的区域覆盖有第一绝缘层，

- 在第一栅极区域中借助暂时形成的经结构化的第一光刻胶层形成经结构化的金属层，

- 沉积第二绝缘层，

- 沉积中间层，

- 使第二光刻胶层结构化，以便暴露第二栅极区域，所述第二栅极区域的侧向延伸小于所述第一栅极区域的侧向延伸，

- 在所述第二栅极区域中借助第二光刻胶层去除所述中间层、所述第二绝缘层和所述金属层，从而所述金属层分割为第一场板和第二场板，其中，在所述第二栅极区域的两侧形成所述第一场板和所述第二场板，所述第一场板朝所述漏极接触部的方向指向，而所述第二场板朝所述源极接触部的方向指向，

- 去除所述第二光刻胶层，

- 通过沉积另外的绝缘层在所述第二栅极区域中形成朝基底表面向彼此延伸的侧向的间距保持体，其中，在将所述中间层用于结束点识别的情况下对所述另外的绝缘层进行蚀刻，并且

- 在部分去除所述第一绝缘层之后形成栅电极，所述栅电极具有在所述间距保持体之间的栅极支脚和部分遮盖所述金属层和所述第一绝缘层的栅极头部。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除所述第一绝缘层之前实行向彼此延伸的间距保持体的形成步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二栅极区域中去除所述第一绝缘层之后实行向彼此延伸的间距保持体的形成步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二栅极区域中去除所述中间层和所述第二绝缘层时，将所述金属层用作有选择的蚀刻停止层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，借助经结构化的第二光刻胶层或借助经结构化的中间层和第二绝缘层，在所述第二栅极区域中使所述金属层结构化。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述第二栅极区域中相对所述第一绝缘层有选择地蚀刻所述金属层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述中间层由氧化硅形成。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述另外的绝缘层由氮化硅形成。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述第一栅极区域和所述第二栅极区域布置成形成朝所述漏极接触部的方向指向的具有300nm至500nm的规格的第一场板。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述第一栅极区域和所述第二栅极区域布置成形成朝所述源极接触部的方向指向的具有最小的规格的第二场板。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，形成具有20nm至50nm的厚度的所述第一绝缘层。