[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置有效
| 申请号： | 201780073197.3 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN110024287B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀明;阪口广和;中井康晴 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/145;H03H9/72 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朴云龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种低损耗、频率温度特性优异、不易产生由高阶模造成的杂散、且能够抑制IMD的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电基板(2)；IDT电极(3)，设置在压电基板(2)上；以及氧化硅膜(6)，在压电基板(2)上设置为覆盖IDT电极(3)，IDT电极(3)具有第一电极层和层叠在第一电极层上的第二电极层，第一电极层由密度比构成第二电极层的金属以及构成氧化硅膜(6)的氧化硅高的金属或合金构成，压电基板2由LiNbO |
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| 搜索关键词： | 弹性 装置 高频 前端 电路 以及 通信 | ||
【主权项】：
1.一种弹性波装置，具备：压电基板；IDT电极，设置在所述压电基板上；以及氧化硅膜，在所述压电基板上设置为覆盖所述IDT电极，所述IDT电极具有：第一电极层；以及第二电极层，层叠在该第一电极层上，所述第一电极层由密度比构成所述第二电极层的金属以及构成所述氧化硅膜的氧化硅高的金属或合金构成，所述压电基板由LiNbO3构成，在所述压电基板的欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)中，θ处于8°以上且32°以下的范围内，所述氧化硅膜含有氢原子、羟基或硅烷醇基。
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