[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780062414.9 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109844954B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 金原启道;山下侑佑;浦上泰 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件(10)，包括：半导体衬底(12)，所述半导体衬底(12)包括元件区域(20)和外周耐压区域(22)。所述外周耐压区域包括按照多种方式围住所述元件区域(20)的多个p型保护环(40)。所述保护环(40)中的每个保护环(40)包括高浓度区域(42)和低浓度区域(44)。最外侧保护环的低浓度区域包括位于所述最外侧保护环的高浓度区域的外周侧的第一部分(51x)。所述保护环的各个低浓度区域包括分别位于夹在多个高浓度区域中对应的两个相邻高浓度区域之间的范围内的各个第二部分(52)。所述第一部分在前表面上的宽度比所述第二部分在所述前表面上的宽度宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：半导体衬底；前表面电极，所述前表面电极接触所述半导体衬底的前表面；以及后表面电极，所述后表面电极接触所述半导体衬底的后表面，其中：所述半导体衬底包括元件区域以及围绕所述元件区域设置的外周耐压区域，所述元件区域在所述半导体衬底的平面图中沿所述半导体衬底的厚度方向与在所述前表面电极和所述半导体衬底之间的接触面重叠；所述元件区域包括能够在所述前表面电极和所述后表面电极之间施加电流的半导体元件；所述外周耐压区域包括多个p型保护环以及使所述多个保护环彼此分开的n型外周漂移区域，所述多个p型保护环面向所述前表面并且以多重的方式围绕所述元件区域；所述多个保护环中的每个保护环包括高浓度区域和低浓度区域，所述高浓度区域具有高于所述多个保护环中的所述每个保护环的p型杂质浓度的峰值的10％的p型杂质浓度，所述低浓度区域具有等于或者低于所述峰值的10％的p型杂质浓度并且被布置在所述高浓度区域和所述外周漂移区域之间；所述多个保护环之中的、位于最外周侧的最外侧保护环的所述低浓度区域包括第一部分，该第一部分位于所述最外侧保护环的所述高浓度区域的外周侧；所述多个保护环的各个低浓度区域各自包括第二部分，每个所述第二部分位于夹在所述多个高浓度区域之中的对应的两个相邻高浓度区域之间的范围内；以及所述第一部分在所述前表面上的宽度比所述第二部分在所述前表面上的宽度宽。
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