[发明专利]半导体器件制造中高品质氧化硅膜的低温形成有效
| 申请号： | 201780060533.0 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109791870B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 凯文·M·麦克劳克林;阿米特·法尔克亚;卡普·瑟里什·雷迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在低于约200℃的温度下通过PECVD将氧化硅层沉积在半导体衬底上，并用氦等离子体处理以将沉积层的应力降低至小于约80MPa的绝对值。等离子体处理降低了氧化硅层中的氢含量，并且导致低应力膜，其也可具有高密度和低粗糙度。在一些实施方案中，将膜沉积在半导体衬底上，该半导体衬底包含一个或多个温度敏感层，例如有机材料层或旋涂电介质，其不能承受高于250℃的温度。在一些实施方案中，氧化硅膜沉积至约100‑200埃之间的厚度，并且在蚀刻半导体衬底上的其他层期间用作硬掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 中高 品质 氧化 低温 形成 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体衬底的方法，该方法包括：(a)将半导体衬底提供至PECVD处理室；(b)在低于约200℃的温度下，通过PECVD在所述半导体衬底上沉积氧化硅层，其中所述沉积包括使含硅前体和含氧反应物流入所述PECVD处理室并形成等离子体；(c)在沉积后停止所述含硅前体的流动；以及(d)在低于约200℃的温度下，用等离子体处理所沉积的所述氧化硅层，从而修改所沉积的所述层并将所沉积的所述层的应力降低至小于约80MPa的绝对值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780060533.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：质谱分析装置
- 下一篇：成像元件、固态成像装置和电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
