[发明专利]单元特定渐进式对准的半导体装置及方法有效
| 申请号： | 201780057483.0 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109791894B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 克拉格·必绍普;克里斯多佛·M·斯坎伦 | 申请（专利权）人： | 美国德卡科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京中珒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11806 | 代理人： | 王中 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及方法可包括：测量在嵌入式晶粒面板内的多个半导体晶粒的各自的真实位置。确定多个半导体晶粒中的每个的总径向位移。通过根据优先级列表将总径向位移的一部分分步至每个层，将多个半导体晶粒的每个总径向位移分步至每个半导体晶粒的两个或更多层，以形成用于每一层的分布径向位移。可使用每一层的分布径向位移来变换用于多个半导体晶粒的每一层的变换。在多个半导体晶粒的每个上可形成单元特定图案，该单元特定图案含有用于多个层的每个的变换。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 特定 渐进 对准 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体装置的方法，所述方法包括：测量在嵌入式晶粒面板内的多个半导体晶粒的每个的真实位置；确定所述多个半导体晶粒中的每个的总径向位移；通过根据优先级列表将所述总径向位移的一部分分布至每个层，将所述多个半导体晶粒的每个的总径向位移分布至每个半导体晶粒的两个或更多层，以形成用于每一层的分布径向位移；使用每一层的所述分布径向位移计算所述多个半导体晶粒的每一层的变换；以及在所述多个半导体晶粒的每个上形成单元特定图案，所述单元特定图案包括每个层的变换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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