[发明专利]单元特定渐进式对准的半导体装置及方法

权利要求书

1.一种制作半导体装置的方法，所述方法包括：

测量在嵌入式晶粒面板内的多个半导体晶粒的每个的真实位置；

确定所述多个半导体晶粒中的每个的总径向位移；

通过根据优先级列表将所述总径向位移的一部分分布至每个层，将所述多个半导体晶粒的每个的总径向位移分布至每个半导体晶粒的两个或更多层，以形成用于每一层的分布径向位移；

使用每一层的所述分布径向位移计算所述多个半导体晶粒的每一层的变换；以及

在所述多个半导体晶粒的每个上形成单元特定图案，所述单元特定图案包括每个层的变换。

2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述多个半导体晶粒中的每个的总径向位移进一步包括：在相对于每个半导体晶粒的半导体晶粒中心的极限特征处计算每个半导体晶粒的总径向位移，其中所述极限特征是离每个半导体晶粒中的半导体晶粒中心最远的每个半导体晶粒上的特征。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述单元特定图案包括：形成光刻图案，并将所述光刻图案应用于所述嵌入式晶粒面板内的每个半导体之上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述优先级列表中具有高优先级的一个或多个层的所述总径向位移的分布所允许的最大量为所述一个或多个层的每个可允许的径向位移量，并且对于所述多个半导体晶粒中的每个，所述两个或更多层的分布量之和小于可允许的总径向位移量。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述总径向位移被跨层分布至多个层，所述多个层与一分数成比例，该分数为每层的可允许径向位移与总可允许径向位移之比。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述多个半导体晶粒的每个上形成单元特定图案进一步包括：

将每层中的设计元素划分成至少两个组，其中将所述组的第一组中的每个设计元素的总径向位移的分布量设置为零；以及

使用每层中的各设计元素的总径向位移的分布量为每层生成所述单元特定图案。

7.根据权利要求6的方法，其中：

所述第一组中的设计元素包括以下中的至少一者：锯道、凸块下通孔和凸块下金属焊盘；以及

其中计算所述变换进一步包括计算平移和旋转。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌入式晶粒面板包括两个或更多个分割区，每个分割区包括一个或多个半导体晶粒，且所述两个或更多个分割区的每个的测量、确定、分布及计算分别进行。

9.一种制作半导体装置的方法，其包括：

确定嵌入式晶粒面板内的半导体晶粒的真实位置；

确定所述半导体晶粒的总径向位移；

根据优先级列表将所述半导体晶粒的所述总径向位移分布至单元特定图案的两个或更多层，以形成用于每层的分布径向位移；

根据每层的分布径向位移计算所述单元特定图案的各层的变换分量；以及

在所述半导体晶粒上形成所述单元特定图案的多个层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中确定所述半导体晶粒的总径向位移进一步包括：在相对于所述半导体晶粒的半导体晶粒中心的极限特征处计算所述半导体晶粒的总径向位移，并且所述极限特征是离所述半导体晶粒的半导体晶粒中心最远的半导体晶粒上的特征。

11.根据权利要求9所述的方法，其中在所述优先级列表中具有高优先级的一个或多个层的所述总径向位移的分布所允许的最大量为所述一个或多个层的可允许的径向位移量。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述总径向位移被跨层分布至多个层，所述多个层与一分数成比例，该分数为每层的可允许径向位移与总可允许径向位移之比。