[发明专利]用于晶片中开口尺寸的光学测量的方法和系统有效
| 申请号： | 201780057112.2 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109716495B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | J·J·徐;R·苏塔耳曼;K·K·李;N·卡特尤里亚 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用光学显微镜产生样本的3D信息的方法包含：按经预先确定的步骤变更所述样本与所述光学显微镜的物镜之间的距离；在每一经预先确定的步骤处捕获图像；确定每一经捕获图像中的每一像素的特性值；基于每一经捕获图像中的每一像素的所述特性值确定聚焦在所述样本的第一表面上的第一经捕获图像；及基于所述第一经捕获图像确定所述样本的所述第一表面中的开口的测量。所述样本的所述第一表面及所述样本的第二表面在所述经捕获图像中的每一者的视场内。所述第一经捕获图像包含图案叠加。在另一实例中，使用不具有图案叠加的第二经捕获图像确定所述开口测量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 开口 尺寸 光学 测量 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种使用光学显微镜产生样本的三维3‑D信息的方法，所述方法包括：按经预先确定的步骤变更所述样本与所述光学显微镜的物镜之间的距离；在每一经预先确定的步骤处捕获图像，其中所述样本的第一表面及所述样本的第二表面在所述经捕获图像中的每一者的视场内；确定每一经捕获图像中的每一像素的特性值；基于每一经捕获图像中的每一像素的所述特性值确定聚焦在所述样本的第一表面上的第一经捕获图像；及基于所述第一经捕获图像确定所述样本的所述第一表面中的开口的测量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司，未经科磊股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780057112.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用颜色测量的基板的厚度测量
- 下一篇：集成发射率传感器的对准特性
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
