[发明专利]用于晶片中开口尺寸的光学测量的方法和系统有效
申请号: | 201780057112.2 | 申请日: | 2017-08-09 |
公开(公告)号: | CN109716495B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | J·J·徐;R·苏塔耳曼;K·K·李;N·卡特尤里亚 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶片 开口 尺寸 光学 测量 方法 系统 | ||
1.一种使用光学显微镜产生样本的三维信息的方法,所述方法包括:
按经预先确定的步骤变更所述样本与所述光学显微镜的物镜之间的距离;
在每一经预先确定的步骤处捕获图像,其中所述样本的第一表面及所述样本的第二表面在经捕获图像中的每一者的视场内;
确定每一经捕获图像中的每一像素的特性值;
基于每一经捕获图像中的每一像素的所述特性值确定聚焦在所述样本的第一表面上的第一经捕获图像;
基于所述第一经捕获图像确定所述样本的所述第一表面中的开口的测量;
基于每一经捕获图像中的每一像素的所述特性确定聚焦在所述样本的第二表面上的第二经捕获图像;
基于所述第二经捕获图像确定所述样本的所述第二表面中的开口的测量;及
确定所述样本的所述第一表面与所述样本的所述第二表面之间的距离,其中所述样本的所述第一表面与所述样本的所述第二表面之间的所述距离指示所述样本中的所述开口的深度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述样本的所述第一表面中的所述开口是所述样本中的孔或沟槽的底部的开口区。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述样本的所述第一表面中的所述开口是所述样本中的孔或沟槽的顶部的开口区。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述测量的所述确定包含:将线拟合到在所述第一经捕获图像中展示的所述样本的所述第一表面中的所述开口的边界。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述测量是所述样本的所述第一表面中的所述开口的直径。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述测量是所述样本的所述第一表面中的所述开口的面积。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述测量是所述样本的所述第一表面中的所述开口的宽度。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述测量是所述样本的所述第一表面中的所述开口的形状。
9.根据权利要求1所述的方法,其中每一像素的所述特性是强度。
10.根据权利要求1所述的方法,其中每一像素的所述特性是对比度。
11.根据权利要求1所述的方法,其中每一像素的所述特性是条纹对比度。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学显微镜包含载物台,其中所述样本由所述载物台支撑,其中所述光学显微镜经调适以与计算机系统通信,且其中所述计算机系统包含经调适以存储每一经捕获图像的存储器装置。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学显微镜是共焦显微镜。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学显微镜是结构化照明显微镜。
15.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学显微镜是干涉仪显微镜。
16.根据权利要求1所述的方法,其中所述确定聚焦在所述样本的第一表面上的第一经捕获图像进一步包括:
针对每一经捕获图像确定跨所述经捕获图像中的所有像素的最大特性;及
比较每一经捕获图像的所述最大特性以确定每一经预先确定的步骤处是否存在所述样本的表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造