[发明专利]基座有效
| 申请号： | 201780056663.7 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110023537B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李晓航;李广辉;哈马德·S·阿洛泰比 | 申请（专利权）人： | 阿卜杜拉国王科技大学;法赫德国王石油矿产大学 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/46;C30B25/12 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 刘晶晶;刘继富 |
| 地址： | 沙特阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基座装置，其用于化学气相沉积(CVD)反应器，包括在半导体工业中使用的金属有机CVD(MOCVD)。特别地，所述基座装置与感应加热一起使用，并且包括适于承载一个或多个晶片的水平板和垂直杆，感应加热线圈围绕垂直杆设置。还可以使用螺钉系统和绝热体。该设计有助于防止不希望的悬浮并且允许反应器的气体注入器位于更靠近晶片的位置以在高温沉积过程中在约1500℃或更高的基座表面温度下进行沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 基座 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学气相沉积(CVD)反应器的基座装置，其包括：至少一个水平板，所述水平板适于承载至少一个晶片；至少一个垂直杆，所述垂直杆与所述水平板集成并垂直于所述水平板；其中，所述基座装置适于感应加热。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
