[发明专利]基座

权利要求书

1.一种化学气相沉积CVD设备，其包括：

基座装置，其包括：

适于承载至少一个晶片的水平板；

与所述水平板集成并垂直于所述水平板的垂直杆；

至少部分地包围所述基座装置的绝热结构；

感应线圈；和

反应室，其中所述感应线圈安装在所述反应室内，

其中，所述基座装置适于通过所述感应线圈进行感应加热，

其中，所述感应线圈仅仅沿着所述垂直杆的垂直长度布置，使得所述垂直杆作为所述水平板的主热源，并且

其中，所述绝热结构沿所述垂直杆的垂直长度和所述水平板的水平长度设置。

2.根据权利要求1所述的CVD设备，其中所述垂直杆具有螺纹，并且所述绝热结构的内壁包括相应的螺纹。

3.根据权利要求1所述的CVD设备，其中所述设备还包括喷头式注入结构。

4.根据权利要求3所述的CVD设备，其中所述水平板包括被配置用于容纳一个或更多个晶片的一个或更多个区域，并且所述喷头式注入结构布置在距离所述一个或更多个晶片的表面小于10mm的位置。

5.根据权利要求1所述的CVD设备，还包括旋转器，所述旋转器配置为使所述基座装置旋转。

6.根据权利要求1所述的CVD设备，其中所述水平板覆盖所述感应线圈的整个上表面。

7.根据权利要求1所述的CVD设备，其中所述基座装置没有电阻加热器。

8.根据权利要求1所述的CVD设备，其中所述基座装置包括与所述水平板集成并垂直于所述水平板的两个或更多个垂直杆。

9.根据权利要求1所述的CVD设备，其中所述垂直杆的直径大于所述至少一个晶片的直径。

10.一种使用权利要求1所述的CVD设备的方法，其中CVD在至少1500℃的基座表面温度下进行。