[发明专利]外延硅晶片的制造方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201780055108.2 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109690738B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 水泽康 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种外延硅晶片的制造方法，其包括：预先准备试验用的硅晶片，在该试验用的硅晶片的表面形成所述多层膜，并测定形成了该多层膜的硅晶片的翘曲方向及翘曲量(Warp)W的工序；以及以使在与所述测定的翘曲方向相反的方向上形成有将所述测定的翘曲量W抵消的翘曲的方式，选择作为器件形成用基板的硅晶片、和在该作为器件形成用基板的硅晶片上形成的外延层的形成条件，并在所述选择的外延层的形成条件下在所述选择的作为器件形成用基板的硅晶片的形成所述多层膜的表面上形成所述外延层的工序。由此，提供一种外延硅晶片的制造方法，其能够制造使形成多层膜时的翘曲减少的外延硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种外延硅晶片的制造方法，所述外延硅晶片由硅晶片和形成于该硅晶片上的外延层构成，并用于在所述外延层上形成多层膜，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，包括：预先准备试验用的硅晶片，并在该试验用的硅晶片的表面形成所述多层膜，测定形成了该多层膜的硅晶片的翘曲方向及翘曲量(Warp)W的工序；以及以使在与所述测定的翘曲方向相反的方向上形成有将所述测定的翘曲量W抵消的翘曲的方式，选择作为器件形成用基板的硅晶片、和形成于该作为器件形成用基板的硅晶片上的外延层的形成条件，并在所述选择的外延层的形成条件下在所述选择的作为器件形成用基板的硅晶片的形成所述多层膜的表面上形成所述外延层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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