[发明专利]用于集成电路结构的多孔半导体层转移在审
| 申请号： | 201780053627.5 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109661722A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | R·哈蒙德;S·格科特佩里 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/84;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成射频(RF)电路结构可以包括在半导体器件层的正面表面上的有源器件。与半导体器件层的正面表面相对的背面表面可以由背面电介质层支撑。集成RF电路结构还可以包括在正面电介质层上的处理衬底，该正面电介质层位于有源器件的正面和半导体器件层的正面表面的至少一部分上。集成RF电路结构可以进一步包括在半导体器件层的背面表面上的背面电介质层。背面电介质层可以远离正面电介质层布置。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 半导体器件层 背面 正面表面 源器件 多孔半导体层 集成电路结构 电路结构 集成射频 衬底 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路结构的方法，包括：蚀刻体半导体晶片以产生多孔半导体层；在所述多孔半导体层上外延生长半导体器件层；在所述半导体器件层上制造有源器件；在所述有源器件上沉积正面电介质；将处理衬底接合到所述有源器件上的所述正面电介质；去除所述体半导体晶片的至少一部分；以及选择性地蚀刻掉所述多孔半导体层，同时保留所述半导体器件层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780053627.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：湿式处理系统用工件固持器
- 下一篇：具有双面散热结构的半导体封装
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
