[发明专利]用于集成电路结构的多孔半导体层转移

权利要求书

1.一种制造集成电路结构的方法，包括：

蚀刻体半导体晶片以产生多孔半导体层；

在所述多孔半导体层上外延生长半导体器件层；

在所述半导体器件层上制造有源器件；

在所述有源器件上沉积正面电介质；

将处理衬底接合到所述有源器件上的所述正面电介质；

去除所述体半导体晶片的至少一部分；以及

选择性地蚀刻掉所述多孔半导体层，同时保留所述半导体器件层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔半导体层包括蚀刻停止层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔半导体层的孔隙率在20％至70％的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔半导体层包括劈开平面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述体半导体晶片包括：

蚀刻所述体半导体晶片以产生第一多孔半导体层；以及

蚀刻所述体半导体晶片以产生第二多孔半导体层，所述第二多孔半导体层具有的孔隙率大于所述第一多孔半导体层的孔隙率。

6.根据权利要求5所述的方法，其中去除所述体半导体晶片的至少所述一部分包括：

在所述第二多孔半导体层处劈开所述体半导体晶片；以及

重新使用所述体半导体晶片的剩余部分。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一多孔半导体层的孔隙率为20％。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二多孔半导体层的孔隙率为70％。

9.根据权利要求5所述的方法，其中蚀刻所述体半导体晶片包括：蚀刻所述体半导体晶片以产生第三多孔半导体层，其中所述第三多孔半导体层的孔隙率小于所述第二多孔半导体层的孔隙率。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第三多孔半导体层的孔隙率为20％。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将所述集成电路结构集成到RF前端模块中，所述RF前端模块被包含到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一个中。

12.一种集成射频(RF)电路结构，包括：

有源器件，在半导体器件层的正面表面上，其中与所述半导体器件层的所述正面表面相对的背面表面由背面电介质层支撑；

处理衬底，在正面电介质层上，所述正面电介质层在所述有源器件的正面和所述半导体器件层的所述正面表面的至少一部分上；以及

所述背面电介质层，在所述半导体器件层的所述背面表面上，所述背面电介质层布置在距所述正面电介质层的远端。

13.根据权利要求12所述的集成RF电路结构，其中所述半导体器件层包括外延生长的硅层。

14.根据权利要求13所述的集成RF电路结构，其中所述外延生长的硅层的厚度在150埃到750埃的范围内。

15.根据权利要求12所述的集成RF电路结构，进一步包括：

RF增强层，在所述有源器件上的所述正面电介质层上；并且

所述处理衬底布置在所述RF增强层上。

16.根据权利要求12所述的集成RF电路结构，进一步包括直接在所述背面电介质层上的钝化层，所述钝化层布置在距所述处理衬底的远端。