[发明专利]用于集成电路结构的多孔半导体层转移

说明书

一种集成射频(RF)电路结构可以包括在半导体器件层的正面表面上的有源器件。与半导体器件层的正面表面相对的背面表面可以由背面电介质层支撑。集成RF电路结构还可以包括在正面电介质层上的处理衬底，该正面电介质层位于有源器件的正面和半导体器件层的正面表面的至少一部分上。集成RF电路结构可以进一步包括在半导体器件层的背面表面上的背面电介质层。背面电介质层可以远离正面电介质层布置。

技术领域

本公开一般地涉及集成电路(IC)。更具体地，本公开涉及用于集成电路结构的多孔半导体层转移的方法和装置。

背景技术

由于成本和功耗考虑，包括高性能双工器的移动RF芯片设计(例如，移动RF收发器)已经迁移到深亚微米工艺节点。这种移动RF收发器的设计在这个深亚微米工艺节点变得复杂。这些移动RF收发器的设计复杂性由于用于支持通信增强(诸如载波聚合)的增加的电路功能而进一步复杂化。移动RF收发器的进一步设计挑战包括模拟/RF性能考虑因素，包括失配、噪声和其他性能因素。这些移动RF收发器的设计包括使用附加的无源器件，例如，以抑制谐振，以及/或者执行滤波、旁路和耦合。

绝缘体上硅(SOI)技术利用分层的硅绝缘体硅衬底代替传统的硅衬底，以减少寄生器件电容并且提高性能。基于SOI的器件不同于传统的硅制器件，因为硅结位于电绝缘体(通常是掩埋氧化物(BOX)层)上方。然而，厚度减小的BOX层可能不足以减小由硅层上的有源器件与支撑BOX层的衬底的接近而引起的寄生电容。

例如，目前使用SOI衬底来制造高性能互补金属氧化物半导体(CMOS)射频(RF)开关技术。为了增加器件隔离并且减少RF损耗，则可以将这种开关器件物理地接合到高电阻率(HR)处理晶片，诸如HR-硅或蓝宝石。由于多层绝缘电介质，开关器件与底层衬底的空间分离的增加显著地改善了CMOS开关的RF性能。遗憾的是，相对于体半导体晶片的成本，SOI晶片的使用相当昂贵。

发明内容

一种制造集成电路结构的方法可以包括蚀刻体半导体晶片以产生多孔半导体层。该方法还可以包括在多孔半导体层上外延生长半导体器件层。该方法可以进一步包括在半导体器件层上制造有源器件。该方法还可以包括在有源器件上沉积正面电介质。该方法可以进一步包括将处理衬底接合到有源器件上的正面电介质。该方法还可以包括去除体半导体晶片的至少一部分。该方法可以进一步包括选择性地蚀刻掉多孔半导体层，同时保留半导体器件层。

一种集成射频(RF)电路结构可以包括在半导体器件层的正面表面上的有源器件。与半导体器件层的正面表面相对的背面表面可以由背面电介质层支撑。集成RF电路结构还可以包括在正面电介质层上的处理衬底，该正面电介质层位于有源器件的正面和半导体器件层的正面表面的至少一部分上。集成RF电路结构可以进一步包括在半导体器件层的背面表面上的背面电介质层。背面电介质层可以远离正面电介质层而被布置。

一种集成射频(RF)电路结构可以包括在半导体器件层的正面表面上的用于开关的装置。与半导体器件层的正面表面相对的背面表面可以由背面电介质层支撑。集成RF电路结构还可以包括在正面电介质层上的处理衬底，该正面电介质层位于开关装置的正面和半导体器件层的正面表面的至少一部分上。集成RF电路结构可以进一步包括在半导体器件层的背面表面上的背面电介质层。背面电介质层可以远离正面电介质层而被布置。

一种射频(RF)前端模块可以具有包括在半导体器件层的正面表面上的开关晶体管的集成RF电路结构。与半导体器件层的正面表面相对的背面表面可以由背面电介质层支撑。集成RF电路结构还可以包括在正面电介质层上的处理衬底，该正面电介质层位于开关晶体管的正面和半导体器件层的正面表面的至少一部分上。集成RF电路结构可以进一步包括在半导体器件层的背面表面上的背面电介质层。背面电介质层可以远离正面电介质层而被布置。RF前端模块可以包括耦合到开关晶体管的输出的天线。