[发明专利]具有岸结构的电子器件有效
申请号: | 201780049859.3 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN109564984B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 陈莉惠;彼得·莱弗莫尔;丹尼尔·瓦尔克 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李金刚;梁晓广 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 具有位于公用衬底上的多个阱区的电子器件和相关方法,其中每个阱区由至少三个岸结构限定,所述岸结构形成阱区的侧壁。在每个阱区内存在至少两个电极段,其中电极段由至少一个绝缘岸在侧向上间隔开,其中绝缘岸比电极段厚。存在完全填充阱区的至少一个电荷输送层,其直接接触并且叠加在电极段和绝缘岸两者的上面。阱区用诸如喷墨的溶液方法填充。这些器件在活性区上具有改进的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 具有 结构 电子器件 | ||
【主权项】:
1.一种具有位于公用衬底上的多个阱区的电子器件,其中:每个阱区由至少三个岸结构限定,所述岸结构形成所述阱区的侧壁;至少两个电极段位于所述阱区中,所述电极段由至少一个绝缘岸在侧向上间隔开,其中所述绝缘岸比所述电极段厚,并且至少一个完全填充所述阱区的电荷输送层直接接触所述电极段及所述绝缘岸,并且叠加在所述电极段及所述绝缘岸的上面。
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