[发明专利]用于填充间隙的方法和设备在审
| 申请号： | 201780044443.2 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109643652A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | V·珀尔;W·科内鹏;B·琼布罗德;D·皮尔勒;G·范德尔斯达;铃木俊哉 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;乐洪咏 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种通过在反应室中提供基底并进行以下操作来填充一个或多个间隙的方法：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此在第一区域上由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上，由此在表面的第二区域上由所述第二反应物形成不超过约一个单层，其中所述第一和所述第二区域在其中所述第一和第二反应物发生反应的重叠区域中重叠，并留下其中所述第一和所述第二区域不重叠的初始未反应区域；及以第三剂量将第三反应物引入到所述基底上，所述第三反应物与残留的在所述初始未反应区域上的所述第一或第二反应物发生反应。 | ||
| 搜索关键词： | 反应物 基底 第二区域 反应区域 单层 填充 引入 方法和设备 第一区域 重叠区域 不重叠 反应室 残留 | ||
【主权项】：
1.一种通过在反应室中提供基底并提供沉积方法来填充在所述基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括；以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此在所述一个或多个间隙的表面的第一区域上由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上，由此在所述一个或多个间隙的所述表面的第二区域上由所述第二反应物形成不超过约一个单层，其中所述第一和所述第二区域在其中所述第一和第二反应物发生反应的重叠区域中重叠，并留下其中所述第一和所述第二区域不重叠的初始未反应区域；及以第三剂量将第三反应物引入到所述基底上，所述第三反应物与残留在所述初始未反应区域上的所述第一或第二反应物发生反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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