[发明专利]半导体激光二极管有效
| 申请号： | 201780043871.3 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109478766B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 斯文·格哈德;克里斯托夫·艾克勒;艾尔弗雷德·莱尔;贝恩哈德·施托耶茨 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/18;H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提出一种具有半导体层序列(2)的半导体激光二极管，所述半导体层序列(2)具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且所述有源层设计用于：在运行中在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)延伸至光耦合输出面(6)，并且其中所述半导体层序列(2)具有沟槽结构(10)，所述沟槽结构至少在一侧上在横向地在所述有源区域(5)旁边具有至少一个沟槽(11，12)或者多个沟槽(11，12)，其中沟槽结构(10)的每个沟槽(11，12)沿纵向方向(93)延伸，并且从半导体层序列(2)的上侧(20)起沿竖直方向(92)伸入到半导体层序列(2)中，并且其中所述沟槽结构(10)沿横向方向和/或沿竖直方向和/或沿纵向方向(91，92，93)关于至少一个沟槽(11，12)或多个沟槽(11，12)的特性变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780043871.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
