[发明专利]制备硫酸钙的方法

摘要

一种制备硫酸钙的方法，包括：通过酸对磷酸盐源的侵蚀来制备DCP(磷酸二钙)；在能够使形成悬浮在游离SO3含量等于或小于1.5％并具有一定含量的游离P2O5的酸性水性相中的石膏的第一浆料的条件下，通过硫酸分解经分离的DCP；通过加热至高于80℃的温度并可选地加入硫酸转化至少一部分所述第一浆料，溶解石膏晶体并重结晶溶解的硫酸钙，形成悬浮在磷酸水性相中的a型硫酸钙半水合物晶体的第二浆料，其中，游离SO3的含量小于10wt％，以及，分离水性相和由特别纯的a型硫酸钙半水合物形成的滤饼。

主权项

1.一种用于制备硫酸钙的方法，所述方法包括以下步骤：通过以下制备磷酸一氢钙：用酸对磷酸盐源的水性介质进行侵蚀，形成浆料，所述浆料包含含有水溶性磷酸钙的水性相和含有杂质的固相；分离所述水性相；用中和用钙化合物中和所述水性相，所述磷酸一氢钙在水性溶液中沉淀，和从所述水性溶液中分离沉淀的磷酸一氢钙，以及在形成悬浮在具有一定含量的游离P2O5的酸性水性相中的硫酸钙二水合物晶体的第一浆料的条件下，用硫酸在水性介质中分解经分离的磷酸一氢钙，其特征在于，进行分解以在所述第一浆料中获得等于或小于所述第一浆料的1.5wt％的游离SO3含量，并且其特征在于，所述方法还包括以下步骤：通过加热至高于80℃的温度和可选地通过加入硫酸转化至少一部分所述第一浆料，由此溶解硫酸钙二水合物晶体并重结晶溶解的硫酸钙，产生悬浮在基于磷酸的水性相中的α‑硫酸钙半水合物晶体的第二浆料，其中，游离SO3的含量小于所述第二浆料的10wt％，和在所述第二浆料中，对基于磷酸的水性相和基于α‑硫酸钙半水合物的滤饼进行分离。