[发明专利]一种形成包括钙钛矿的装置的方法在审
| 申请号： | 201780036517.8 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109314185A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | A·别索诺夫 | 申请（专利权）人： | 恩波顿公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L29/16;H01L29/66;B82Y10/00;B82Y30/00;H01L51/42;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 一种方法包括：提供包括一个或多个电子结构的基板；提供覆盖所述一个或多个电子结构的钙钛矿层；涂覆覆盖所述钙钛矿层的光致抗蚀剂材料层；将掩模与所述一个或多个电子结构对准并图案化所述光致抗蚀剂材料；以及使用相同的蚀刻剂去除所述图案化的光致抗蚀剂材料的部分和位于所述图案化的光致抗蚀剂材料的所述部分下方的所述钙钛矿。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂材料 电子结构 图案化 钙钛矿层 钙钛矿 光致抗蚀剂材料层 蚀刻剂 覆盖 基板 去除 涂覆 掩模 对准 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供包括一个或多个电子结构的基板，其中所述电子结构是包括源电极、漏电极和石墨烯沟道的石墨烯场效应晶体管；提供覆盖所述一个或多个电子结构的钙钛矿层；涂覆覆盖所述钙钛矿层的光致抗蚀剂材料层；将掩模与所述一个或多个电子结构对准并图案化所述光致抗蚀剂材料，使得所述光致抗蚀剂材料与所述一个或多个石墨烯场效应晶体管的所述结构对应；以及使用蚀刻剂去除所述图案化的光致抗蚀剂材料的部分和位于所述图案化的光致抗蚀剂材料的所述部分下方的所述钙钛矿，使得所述钙钛矿层覆盖所述石墨烯场效应晶体管中的一个或多个石墨烯场效应晶体管中的所述石墨烯沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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