[发明专利]一种形成包括钙钛矿的装置的方法在审
| 申请号: | 201780036517.8 | 申请日: | 2017-06-14 |
| 公开(公告)号: | CN109314185A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | A·别索诺夫 | 申请(专利权)人: | 恩波顿公司 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L29/16;H01L29/66;B82Y10/00;B82Y30/00;H01L51/42;H01L51/05 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
| 地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光致抗蚀剂材料 电子结构 图案化 钙钛矿层 钙钛矿 光致抗蚀剂材料层 蚀刻剂 覆盖 基板 去除 涂覆 掩模 对准 | ||
一种方法包括:提供包括一个或多个电子结构的基板;提供覆盖所述一个或多个电子结构的钙钛矿层;涂覆覆盖所述钙钛矿层的光致抗蚀剂材料层;将掩模与所述一个或多个电子结构对准并图案化所述光致抗蚀剂材料;以及使用相同的蚀刻剂去除所述图案化的光致抗蚀剂材料的部分和位于所述图案化的光致抗蚀剂材料的所述部分下方的所述钙钛矿。
技术领域
本公开的实例涉及一种形成包括钙钛矿的装置的方法。具体地,它们涉及一种形成包括钙钛矿的装置的方法,其中钙钛矿形成一个或多个电子结构的一部分。
背景技术
诸如混合有机-无机钙钛矿的钙钛矿材料可用作诸如光电探测器、光发射器或任何其它合适的装置的电子器件中的光电活性层。然而,难以将钙钛矿构造为预定图案,这使得难以使用钙钛矿制造电子器件。
提供形成包括钙钛矿的装置的改进的方法是有用的。
发明内容
根据本公开的各种实例但不一定是所有实例,提供了一种方法,包括:提供包括一个或多个电子结构的基板;提供覆盖所述一个或多个电子结构的钙钛矿层;涂覆覆盖所述钙钛矿层的光致抗蚀剂材料层;将掩模与所述一个或多个电子结构对准并图案化所述光致抗蚀剂材料;以及使用相同的蚀刻剂去除所述图案化的光致抗蚀剂材料的部分和位于所述光致抗蚀剂材料的所述部分下方的所述钙钛矿。
所述光致抗蚀剂材料可以被图案化以与所述一个或多个电子结构中的结构对应。
所述光致抗蚀剂材料的所述图案化可以包括通过所述掩模将所述光致抗蚀剂材料暴露于紫外光。
所述蚀刻剂可以去除未暴露于紫外光的光致抗蚀剂材料。所述蚀刻剂也可以去除位于未暴露于紫外光的所述光致抗蚀剂材料下方的所述钙钛矿。
所述蚀刻剂可以去除暴露于紫外光的光致抗蚀剂材料。所述蚀刻剂也可以去除位于暴露于紫外光的所述光致抗蚀剂材料下方的所述钙钛矿。
所述电子结构可以包括二维材料。
所述二维材料可以包括石墨烯。
所述方法可以包括去除剩余的光致抗蚀剂材料。
所述方法可以包括封装所述基板和所述钙钛矿层。
所述钙钛矿层可以被涂覆在所述基板上,使得它与所述基板上的所述一个或多个电子结构形成电连接。
根据本公开的各种实例但不一定是所有实例,提供了一种使用上述方法形成的装置。
根据本公开的各种实例但不一定是所有实例,提供了如所附权利要求中要求保护的实例。
附图说明
为了更好地理解对理解详细描述有用的各种实例,现在将仅通过实例的方式参考附图,其中:
图1示出了一种方法;
图2示出了一种方法;
图3A至3C示出了一种方法;
图4示意性地示出了使用根据本公开的实例的方法形成的装置;
图5A和5B示出了使用根据本公开的实例的方法形成的示例装置;以及
图6A至6I示出了使用根据本公开的实例的方法形成的示例装置。
具体实施方式
这些图示出了一种方法。该方法包括:提供11包括一个或多个电子结构23的基板21;涂覆13覆盖一个或多个电子结构23的钙钛矿层25;涂覆15覆盖钙钛矿层25的光致抗蚀剂材料层27;将掩模29与一个或多个电子结构23对准17并图案化光致抗蚀剂材料27;以及使用19相同的蚀刻剂31去除图案化的光致抗蚀剂材料27的部分和位于图案化的光致抗蚀剂材料27的该部分下方的钙钛矿25。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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