[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201780034118.8 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109314155B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李尚烈;金青松;文智炯;朴鲜雨;宋俊午 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L29/78;H01L29/423;G08C23/04;H01L33/02;G09G3/32;H01L29/772 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 石海霞;金鹏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例的半导体器件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上，并电连接到第一导电型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到源电极；以及第三接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层、设置在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及设置在所述有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在所述发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在所述第二导电类型半导体层上，并电连接到所述漏电极和所述第二导电类型半导体层；第一接合焊盘，设置在所述发光结构上，并电连接到所述第一导电类型半导体层；第二接合焊盘，设置在所述晶体管上，并电连接到所述源电极；以及第三接合焊盘，设置在所述晶体管上，并电连接到所述栅电极。
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