[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

发光结构，包括第一导电类型半导体层、设置在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及设置在所述有源层上的第二导电类型半导体层；

晶体管，设置在所述发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；

第二电极，设置在所述第二导电类型半导体层上，并电连接到所述漏电极和所述第二导电类型半导体层；

第一接合焊盘，设置在所述发光结构上，并电连接到所述第一导电类型半导体层；

第二接合焊盘，设置在所述晶体管上，并电连接到所述源电极；以及

第三接合焊盘，设置在所述晶体管上，并电连接到所述栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶体管设置在所述第二导电类型半导体层上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括第一绝缘层，设置在所述第二电极和所述晶体管之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述晶体管包括：

所述栅电极，设置在所述第一绝缘层上；

第二绝缘层，设置在所述栅电极上；

所述半导体层，设置在所述第二绝缘层上；

所述源电极，电连接到所述半导体层的第一区域；以及

所述漏电极，电连接到所述半导体层的第二区域，穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，并电连接到所述第二电极。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第三绝缘层，设置在所述源电极、所述漏电极和所述第二绝缘层上，

其中，所述第一接合焊盘设置在所述第三绝缘层上，穿过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，并且电连接到所述第一导电类型半导体层，

其中，所述第二接合焊盘设置在所述第三绝缘层上，穿过所述第三绝缘层，并且电连接到所述源电极，以及

其中，所述第三接合焊盘设置在所述第三绝缘层上，穿过所述第二绝缘层和第三绝缘层，并且电连接到所述栅电极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源电极包括源极体电极和源极分支电极，所述源极分支电极设置为多个并从所述源极体电极延伸，

其中，所述漏电极包括漏极体电极和漏极分支电极，所述漏极分支电极设置为多个并从所述漏极体电极延伸，并且

其中，多个源极分支电极和多个漏极分支电极交替地设置在所述半导体层上，以提供多个沟道。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅电极包括栅极体电极和栅极分支电极，

其中，所述栅极分支电极设置为多个并从所述栅极体电极延伸，并且

其中，多个栅极分支电极在与由所述多个源极分支电极和所述多个漏极分支电极提供的所述多个沟道垂直的方向上重叠。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述多个源极分支电极和所述多个漏极分支电极在水平方向上在所述半导体层上彼此重叠。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第一电极，设置在所述第一导电类型半导体层上，并且电连接到所述第一接合焊盘和所述第一导电类型半导体层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，通过施加到所述第二接合焊盘和所述第三接合焊盘的功率来控制所述晶体管的驱动，使得向所述第二电极施加功率，并且

其中，所述发光结构中的光发射由施加到所述第一接合焊盘的功率和施加到所述第二电极的功率来控制。

11.一种显示面板，包括：

基板；以及

根据权利要求1至10中任一项所述的半导体器件，设置在所述基板上。

12.一种显示装置，包括：

基板；

根据权利要求1至10中任一项所述的半导体器件，设置在所述基板上；以及

控制单元，被配置为控制所述半导体器件的光发射。

13.一种通信装置，包括：

基板；

根据权利要求1至10中任一项所述的半导体器件，设置在所述基板上；以及

控制单元，被配置为控制所述半导体器件的光发射，并调制和传送数据。