[发明专利]贴合式SOI晶圆的制造方法

摘要

公开了一种通过彼此贴合其间具有绝缘膜的接合晶圆和基底晶圆而制造贴合式SOI晶圆的方法，所述接合晶圆和基底晶圆每个由单晶硅制成。所述方法包括：在基底晶圆贴合面侧堆积多晶硅层的步骤；研磨多晶硅层表面而得到研磨面的步骤；在研磨面形成热氧化膜的步骤；在接合晶圆贴合面形成绝缘膜的步骤；通过彼此粘合绝缘膜及热氧化膜而彼此贴合接合晶圆及基底晶圆的贴合步骤；薄膜化经贴合的接合晶圆而将SOI层形成薄膜的步骤，其中用电阻率100Ω·cm或以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，形成于研磨面的热氧化膜厚度为15nm或以上，形成于研磨面的热氧化膜表面的RMS为0.6nm或以下，贴合步骤后进行的热处理的最高处理温度为1150℃以下。从而，提供了贴合式SOI晶圆的制造方法，其中通过抑制来自贴合交界面的硼污染的影响，抑制高电阻基板的电阻率降低。

主权项

1.一种贴合式SOI晶圆的制造方法，透过绝缘膜而将皆由单晶硅所构成的接合晶圆及基底晶圆予以贴合而制造贴合式SOI晶圆，该贴合式SOI晶圆的制造方法包含：堆积步骤，于该基底晶圆的贴合面侧将多晶硅层予以堆积；研磨步骤，将该多晶硅层的表面予以研磨而得到研磨面；热氧化膜形成步骤，于该研磨面形成热氧化膜；绝缘膜形成步骤，于该接合晶圆的贴合面形成该绝缘膜；贴合步骤，将该绝缘膜及该热氧化膜予以密接而将该接合晶圆及该基底晶圆予以贴合；以及薄膜化步骤，将经贴合的该接合晶圆予以薄膜化而形成SOI层，其中，使用电阻率为100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为该基底晶圆，形成于该研磨面的该热氧化膜的膜厚度为15nm以上，形成于该研磨面的该热氧化膜的表面的RMS为0.6nm以下，并且于该贴合步骤之后所进行的热处理的最高处理温度为1150℃以下。