[发明专利]接合装置有效
| 申请号： | 201780032363.5 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN109196629B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 瀬山耕平;永口悠二;和田庄司 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包括：加热器(11)；以及接合工具(20)，具有对存储器芯片(60)进行吸附的下表面(24)及安装于加热器(11)的上表面(22)，下表面(24)的第1周缘区域(A)将存储器芯片(60)的周缘部(60a)按压至焊料球(41)，第1中央区域(B)将存储器芯片(60)的中央部(60b)按压至耐热温度低于焊料球(41)的DAF(44)，并且，从第1中央区域(B)传递至存储器芯片(60)的中央部(60b)的热量小于从第1周缘区域(A)传递至存储器芯片(60)的周缘部(60a)的热量。由此，可提供一种能够将接合构件的中央部加热为低于周缘部的温度的接合装置。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 装置 | ||
【主权项】：
1.一种接合装置，其特征在于包括：加热器；以及接合工具，具有对接合构件进行吸附的第1面及与所述第1面为相反侧的安装于所述加热器的第2面，所述第1面的第1周缘区域将所述接合构件的周缘部按压至第1构件，所述第1面的第1中央区域将所述接合构件的中央部按压至耐热温度低于所述第1构件的第2构件，从所述接合工具的所述第1中央区域传递至所述接合构件的中央部的所述接合构件的单位面积的热量小于从所述接合工具的所述第1周缘区域传递至所述接合构件的周缘部的所述接合构件的单位面积的热量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社新川，未经株式会社新川许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780032363.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
