[发明专利]用于减少阈值移位的氮化硅工艺有效
| 申请号： | 201780031286.1 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN109219887B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | N·S·德拉斯;N·蒂皮尔内尼;李东习 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(100)具有衬底(102)，所述衬底(102)具有半导体材料(104)。所述半导体装置(100)在所述半导体材料(104)中及在所述半导体材料上包含场效应晶体管(106)。所述场效应晶体管(106)具有位于所述半导体装置(100)的所述半导体材料(104)之上的栅极电介质层(110)，以及位于所述栅极电介质层(110)之上的栅极(112)。所述栅极电介质层(110)包含紧挨在用于沟道(114)的区之上且在所述栅极(112)下方的一层富氮氮化硅(120)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 阈值 移位 氮化 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：衬底，其包括半导体材料；以及场效应晶体管FET，其包括：安置在所述衬底之上的栅极电介质层，所述栅极电介质层包括富氮氮化硅层以及安置在所述富氮氮化硅层之上的氮化硅层；以及安置在所述栅极电介质层之上的栅极。
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