[发明专利]存储器胞元和存储器阵列有效
| 申请号： | 201780030983.5 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109219883B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | G·杨;S·J·马修;R·辛噶纳马拉;V·奈尔;S·J·德尔纳;M·A·肖尔;B·基思;F·A·席赛克-艾吉;D·T·N·德兰 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例包含一种具有第一与第二晶体管，和相对于所述第一与第二晶体管竖直地位移的电容器的存储器胞元。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区域电耦合的第一节点、与所述第二晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二节点和所述第一节点与第二节点之间的电容器介电材料。一些实施例包含一种具有相对于彼此竖直地位移的第一与第二晶体管和所述第一晶体管与第二晶体管之间的电容器的存储器胞元。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区域电耦合的第一节点、与所述第二晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二节点和所述第一节点与第二节点之间的电容器介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储器胞元，包括：第一与第二晶体管；和相对于所述第一与第二晶体管竖直地位移的电容器，所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区域电耦合的第一节点、具有与所述第二晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二节点，且具有所述第一节点与第二节点之间的电容器介电材料。
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