[发明专利]用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物

摘要

本公开涉及组合物，其含有1)至少一种水溶性极性非质子性有机溶剂；2)至少一种氢氧化季铵；3)至少一种含有至少三个羟基基团的化合物；4)至少一种羧酸；5)至少一种第Ⅱ族金属阳离子；6)选自由6‑取代‑2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪所构成的群组的至少一种铜腐蚀抑制剂；以及7)水。所述组合物能有效地剥离正或负型光刻胶或光刻胶残余物，以及对半导体基板上的凸块及底层金属化材料(诸如SnAg、CuNiSn、CuCoCu、CoSn、Ni、Cu、Al、W、Sn、Co等等)是非腐蚀性的。

主权项

1.一种组合物，包含：1)至少一种水溶性极性非质子性有机溶剂；2)至少一种氢氧化季铵；3)至少一种含有至少三个羟基基团的化合物；4)至少一种羧酸；5)至少一种第Ⅱ族金属阳离子；6)选自由6‑取代‑2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪所构成的群组的至少一种铜腐蚀抑制剂；以及7)水。