[发明专利]借助HIPIMS的具有减少的生长缺陷的TiCN有效
| 申请号： | 201780029615.9 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN109154061B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 徳尼斯·库拉珀夫;西格弗里德·克拉斯尼策尔 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;H01J37/34;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 何志欣 |
| 地址： | 瑞士普费*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种用于借助HiPIMS在待涂覆基材的表面施加具有至少一个TiCN层的涂层的方法，其中，为了沉积所述至少一个TiCN层而采用至少一个含钛靶作为用于产生该TiCN层的钛源，该含钛靶在反应气氛中借助HiPIMS方法在涂覆室内被溅射，其中，该反应气氛包含至少一种稀有气体且最好是氩气和至少作为反应气体的氮气，其中，为了在沉积所述至少一个TiCN层时减少生长缺陷，该反应气氛作为第二反应气体附加包含含碳气体优选是CH |
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| 搜索关键词： | 借助 hipims 具有 减少 生长 缺陷 ticn | ||
【主权项】：
1.一种用于借助HiPIMS在待涂覆基材的表面施加具有至少一个TiCN层的涂层的方法，其中，为了沉积所述至少一个TiCN层而采用至少一个含钛靶作为用于产生该TiCN层的钛源，该含钛靶在反应气氛中借助HiPIMS方法在涂覆室内被溅射，其中，该反应气氛包含至少一种稀有气体且最好是氩气和作为反应气体的至少氮气，其特征是，为了在沉积所述至少一个TiCN层时减少生长缺陷：‑该反应气氛附加包含含碳气体作为第二反应气体，该含碳气体被用作用于产生该TiCN层的碳源，其中，在沉积该TiCN层期间，将双极偏电压施加到待涂覆基材上，或者‑作为用于产生TiCN层的碳源而采用至少一个含碳靶，该含碳靶在该涂覆室内利用只具有氮气作为反应气体的反应气氛并借助HiPIMS方法被溅射。
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