[发明专利]于氮离子植入中改善离子源效能的氟化组合物

摘要

本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备，其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作，例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子植入组合物实施，其中所述氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包括选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体，例如包括选自由以下组成的群组的一或多种的含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4和CxHy(x≥1，y≥1)通式的其它烃和GeH4。

主权项

1.一种氮离子植入组合物，其用于在氮离子植入后进行在所述氮离子植入后时易于发生故障的另一离子植入操作时抵抗离子植入系统中的故障，所述氮离子植入组合物包含氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包含选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体。