[发明专利]薄膜制造装置、薄膜制造方法有效

专利信息
申请号: 201780028113.4 申请日: 2017-04-26
公开(公告)号: CN109154071B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 木村孔 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱美红;刘林华
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种能够将膜厚传感器长期间使用的技术。使成膜材料(37)的微粒子从成膜源(12)放出,使薄膜在成膜对象物(15)和膜厚传感器(31)上成长,由膜厚传感器(31)求出薄膜的测量成长速度,将测量成长速度与预先设定的基准速度比较,当使电力变化而使测量成长速度接近于基准速度时,使膜厚传感器(31)与放出部(38)之间的闸门(35)开闭,使微粒子到达膜厚传感器(31)的时间变短。在膜厚传感器(31)上成长的薄膜的膜厚比不使闸门(35)开闭的情况薄,所以膜厚传感器(31)的寿命变长。
搜索关键词: 薄膜 制造 装置 方法
【主权项】:
1.一种薄膜制造装置,具有:真空槽;成膜源,配置有成膜材料;主控制装置,向前述成膜源供给电力,使配置在前述成膜源中的前述成膜材料的微粒子从前述成膜源的放出部向前述真空槽的内部放出;以及膜厚传感器,被配置在前述微粒子到达而薄膜成长的位置,并输出表示在表面上形成的前述薄膜的膜厚的内容的膜厚信号;前述主控制装置基于前述膜厚传感器输出的前述膜厚信号,使向前述成膜源供给的电力的大小变化而使前述成膜源的放出速度变化,使薄膜以期望的成长速度在前述成膜对象物表面上成长;所述薄膜制造装置的特征在于,在前述真空槽内配置有闸门;由主控制装置将前述闸门移动;前述闸门被切换为遮蔽状态和到达状态,在所述遮蔽状态下,前述闸门位于前述膜厚传感器与前述放出部之间,将前述微粒子向前述膜厚传感器的到达遮蔽,在所述到达状态下,前述闸门从前述膜厚传感器与前述放出部之间的位置向其他部位移动,使前述微粒子向前述膜厚传感器到达。
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