[发明专利]薄膜制造装置、薄膜制造方法

说明书

提供一种能够将膜厚传感器长期间使用的技术。使成膜材料（37）的微粒子从成膜源（12）放出，使薄膜在成膜对象物（15）和膜厚传感器（31）上成长，由膜厚传感器（31）求出薄膜的测量成长速度，将测量成长速度与预先设定的基准速度比较，当使电力变化而使测量成长速度接近于基准速度时，使膜厚传感器（31）与放出部（38）之间的闸门（35）开闭，使微粒子到达膜厚传感器（31）的时间变短。在膜厚传感器（31）上成长的薄膜的膜厚比不使闸门（35）开闭的情况薄，所以膜厚传感器（31）的寿命变长。

技术领域

本发明涉及形成薄膜的技术，特别是提供检测薄膜的成长速度的膜厚传感器的可使用期间较长的薄膜制造装置和薄膜制造方法。

背景技术

图3的附图标记100是以往技术的薄膜制造装置，具有真空槽113。在真空槽113的内部配置有蒸发源112。

蒸发源112具有蒸发容器133，被运入到真空槽113的内部的成膜对象基板115经过蒸发容器133的上方位置或被配置到蒸发容器133的上方位置。

蒸发容器133是中空的，在蒸发容器133的中空的内部，配置有由粉体状的有机化合物构成的有机材料137。

在蒸发容器133处设置有加热装置134，加热装置134被连接在成膜电源145上。

由真空排气装置139将真空槽113的内部进行真空排气而形成真空环境，由成膜电源145对加热装置134通电而使其发热，发热的加热装置134将蒸发容器133加热而使其升温，配置在蒸发容器133的内部的有机材料137被升温后的蒸发容器133加热。

如果有机材料137被升温到蒸发温度以上，则蒸发（包括升华），大量的有机材料137的蒸气被放出到蒸发容器133的内部。

在蒸发容器133的与成膜对象基板115面对的位置设置有放出孔138，产生的蒸气被从放出孔138向真空槽113的内部放出，如果到达成膜对象基板115的表面，则在到达的部分处有机材料137的薄膜成长。

在该薄膜制造装置100中，在真空槽113的外部，配置有控制有机材料137的薄膜的成长速度的成长速度控制电路114。

如果说明成长速度控制电路114控制成长速度的次序，则在真空槽113的内部设置有膜厚传感器131，膜厚传感器131被连接在设置于成长速度控制电路114内的成长速度测量器141上。

膜厚传感器131被配置在成膜对象基板115的侧方位置，从蒸发源112放出的有机材料137的蒸气到达成膜对象基板115和膜厚传感器131，在成膜对象基板115和膜厚传感器131上使薄膜成长，将膜厚传感器131检测出的膜厚作为表示膜厚的信号向成长速度测量器141输出，由成长速度测量器141求出膜厚的成长速度，将表示成长速度的信号作为测量信号向速度偏差检测器142输出。

预先求出在成膜对象基板115的表面上成长的薄膜的期望的成长速度，转换为膜厚传感器131的表面的成长速度，作为基准值存储在存储装置143中，从存储装置143输出表示基准值的基准信号，向速度偏差检测器142输入。

在速度偏差检测器142中，求出被输入的基准信号表示的值与被输入的测量信号表示的值的大小关系以及差的值，将作为带有表示正负的符号的差的值的表示偏差的偏差信号从速度偏差检测器142向成膜电源145输出。

在被输入到成膜电源145中的偏差信号表示出测量信号表示的成长速度的值比基准信号表示的成长速度的值大的情况下，成膜电源145使向加热装置134输出的电流减小，使蒸发源112的内部的有机材料137的蒸气产生量减小，使得成膜对象基板115和膜厚传感器131的成长速度的值变小。