[发明专利]包括光吸收硅层的太阳电池及其制造方法

摘要

本发明涉及包括光吸收硅层的太阳电池及其制造方法。本发明提出了一种包括太阳电池的新的太阳能光伏组件，所述太阳电池包括具有第一表面(1a)以及与所述第一表面相对的第二表面(1b)的硅层。所述太阳电池还包括钝化层叠层(2)，该钝化层叠层(2)包括布置于所述第一表面上和/或所述第二表面上的异质层(4)。具有背表面(3)和前表面(5)的所述异质层(4)包括折射率低于3.0的非导电基底(4b)。所述异质层还包括所述基底(4b)中的至少一种导电材料的夹杂物(4a)，并且所述夹杂物(4a)中的至少一些从所述异质层(4)的所述背表面(3)延伸到所述前表面(5)，以用于电连接所述异质层的所述表面(3、5)。

主权项

1.一种包括光吸收的硅层(1)的太阳电池，所述硅层(1)具有第一表面(1a)以及与所述第一表面(1a)相反的第二表面(1b)，其中，所述太阳电池还包括布置在所述第一表面(1a)上和/或所述第二表面(1b)上的异质层(4)，所述异质层(4)具有彼此相反的前表面(5)和背表面(3)，所述背表面(3)朝向所述第一表面(1a)侧，所述异质层(4)包括低电导的基底(4b)，所述基底(4b)的折射率低于3，所述异质层(4)还包括所述基底(4b)中的导电的夹杂物(4a)，所述夹杂物(4a)中的至少一部分是按如下方式进行电互连的：所述夹杂物(4a)形成从所述背表面(3)到所述前表面(5)的电荷载流子传输路径，以使得所述背表面(3)电连接到所述前表面(5)。