[发明专利]包括位于发光区的至少一个势垒层内的至少一个带隙宽于势垒层带隙的中间层的发光二极管

摘要

一种发光二极管(100)，包括：分别掺杂n型和p型的第一半导体层和第二半导体层(102，104)，该第一半导体层和第二半导体层(102，104)形成p‑n结；位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源区(105)，该有源区(105)包括能够形成量子阱的InXGa1‑XN发射层(106)和其间放置有该发射层的两个InYGa1‑YN(0YX)势垒层(108)；中间层(114)，该中间层(114)被放置在位于发射层和第一半导体层之间的势垒层内，然后使该势垒层的部分位于该中间层的两侧，或者该中间层(114)被放置至所述势垒层和发射层之间，包括III‑N半导体的中间层的带隙宽于所述势垒层的带隙；并且其中：第二半导体层包括GaN或InWGa1‑WN，0WY，以及第一半导体层包括InVGa1‑VN，VW0。

主权项

1.一种发光二极管(100)，至少包括：‑包括n掺杂半导体的第一层(102)和包括p掺杂半导体的第二层(104)，所述第一层和所述第二层(102，104)形成p‑n结；‑被设置在所述第一层和所述第二层(102，104)之间的有源区(105)，所述有源区包括至少一个发射层(106)和至少两个势垒层(108)，所述至少一个发射层包括InXGa1‑XN并且被配置成形成量子阱，所述至少两个势垒层包括InYGa1‑YN，并且在所述至少两个势垒层之间设置有发射层(106)，其中，X和Y是实数，使0

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