[发明专利]用于EUV光刻术的隔膜有效
| 申请号： | 201780025510.6 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN109154771B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | M·A·纳萨莱维奇;E·A·阿贝格;N·班纳吉;M·A·布劳;德克·S·G·布龙;保罗·詹森;M·可鲁依宁嘉;E·兰德林克;N·马克西姆;A·尼基帕罗夫;A·W·诺滕博姆;C·彼烈戈;M·彼得;G·里斯朋斯;N·舒;M·A·范德柯克霍夫;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;A·W·弗尔堡;J·P·M·B·沃缪伦;D·F·弗莱斯;W-P·福尔蒂森;A·N·兹德拉夫科夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F1/62;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中，隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中第一金属与第二金属不同，第三金属与第一金属相同或不同。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 euv 光刻 隔膜 | ||
【主权项】：
1.一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜包括具有以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中所述第一金属与所述第二金属不同，并且所述第三金属与所述第一金属相同或不同。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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