[发明专利]用于EUV光刻术的隔膜

说明书

公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中，隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中第一金属与第二金属不同，第三金属与第一金属相同或不同。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年4月25日提交的EP申请16166775.3、于2016年10月21日提交的EP申请16195123.1以及2016年12月20日提交的EP申请16205298.9的优先权，这些申请的内容在此通过引用而全文并入本文。

技术领域

本发明涉及用于一种EUV光刻术的隔膜、图案形成装置组件和动态气锁组件。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在集成电路的单层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或几个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。

光刻术被广泛地看作制造集成电路和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成实现制造微型集成电路或其他器件和/或结构的更加关键因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在10-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如具有在13-14nm范围内的波长的电磁辐射。进一步地还提出可以使用具有小于10nm波长的EUV辐射，例如波长在5-10nm范围内，诸如6.7nm或6.8nm的波长。这样的辐射被称为术语“极紫外辐射”或“软X射线辐射”。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或者基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模板)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可以提供隔膜组件以保护图案形成装置免受空气中悬浮颗粒和其它形式的污染物影响。用于保护图案形成装置的隔膜组件可以被称为表膜。图案形成装置的表面上的污染物可能导致在衬底上的制造缺陷。隔膜组件可以包括边界和横跨边界伸展的隔膜。

期望隔膜具有高发射率和低失效可能性的组合。也期望隔膜具有高EUV透射率。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜，该隔膜包括具有以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；基层，包括化合物，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中第一金属与第二金属不同，第三金属与第一金属相同或不同。

根据本发明的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜，其中：所述隔膜包括隔膜层，所述隔膜层包括化合物，所述化合物包括金属和附加元素；和隔膜的两个外表面的至少一部分由隔膜层中的化合物或附加元素的氧化物形成，其中：

所述金属是Mo，所述附加元素是Si；