[发明专利]粘接膜及切割芯片接合一体型膜在审
| 申请号： | 201780024601.8 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN109155244A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赖华子 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/10;C09J7/30;C09J11/04;C09J11/06;C09J163/00;C09J171/10;C09J201/00;H01L21/52 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及具有热固化性的粘接膜。该粘接膜含有：(a)聚合物；(b)50℃下为液态的环氧树脂；(c)固化剂及固化促进剂中的至少一者；和(d)热导率为10W/(m·K)以上的填充物，满足下述不等式(1)所示的条件，且热固化后的剪切强度为1.5MPa以上。式中，ma表示形成(a)聚合物的环状结构的碳质量、mb表示形成(b)环氧树脂的环状结构的碳质量、mc表示形成(c)固化剂及固化促进剂的环状结构的碳质量、M表示(a)聚合物、(b)环氧树脂以及(c)固化剂及固化促进剂的总质量。(ma+mb+mc)/M≥0.43(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 环氧树脂 固化促进剂 环状结构 聚合物 固化剂 粘接膜 填充物 热固化性 芯片接合 热导率 热固化 一体型 式中 切割 | ||
【主权项】：
1.一种具有热固化性的粘接膜，其含有：(a)聚合物；(b)50℃下为液态的环氧树脂；(c)固化剂及固化促进剂中的至少一者；和(d)热导率为10W/(m·K)以上的填充物，所述粘接膜满足下述不等式(1)所示的条件，且热固化后的剪切强度为1.5MPa以上，(ma+mb+mc)/M≥0.43(1)式中，ma表示形成(a)聚合物的环状结构的碳质量，mb表示形成(b)环氧树脂的环状结构的碳质量，mc表示形成(c)固化剂及固化促进剂的环状结构的碳质量，M表示(a)聚合物、(b)环氧树脂以及(c)固化剂及固化促进剂的总质量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成株式会社，未经日立化成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780024601.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：层叠配线膜及薄膜晶体管元件
- 下一篇：原子层蚀刻系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
