[发明专利]半导体存储器件、驱动方法和电子设备有效
| 申请号： | 201780024515.7 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN109074835B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 冈干生;神田泰夫 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张荣海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及：能够抑制布局面积，并且提高可靠性的半导体存储器件；驱动方法；和电子设备。所述半导体存储器件具备：至少一个选择晶体管；可变电阻元件，其中一个端部连接到位线，另一个端部连接到选择晶体管的漏极端子，并且当预定值或更大的电流流动时，电阻值变化；和写入控制单元，所述写入控制单元连接到在所述选择晶体管和可变电阻元件之间的连接点，并控制在把数据写入可变电阻元件之际，流向可变电阻元件的电流。本技术可适用于例如具备由磁隧道结构成的存储元件的非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 驱动 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：至少一个或多个选择晶体管；电阻变化元件，所述电阻变化元件一端连接到位线，另一端连接到选择晶体管的漏极端子，所述电阻变化元件的电阻值因被允许流过的预定值或者更大的电流而变化；以及写入控制单元，所述写入控制单元连接到在所述选择晶体管和电阻变化元件之间的连接点，并控制在数据被写入电阻变化元件时流经电阻变化元件的电流。
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