[发明专利]设计和制作带有特定地球宇宙射线(TCR)额定值的半导体装置有效
| 申请号： | 201780019463.4 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108780807B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | A.V.博罗特尼科夫;L.D.斯特瓦诺维奇;P.A.罗西 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/16;H01L29/745;H01L29/732;G06F30/367 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;杨美灵 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，制造碳化硅(SiC)装置的方法包括:接收对在特定施加电压的特定地球宇宙射线(TCR)额定值的选择；至少基于在特定施加电压的特定TCR额定值来确定SiC装置的击穿电压；至少基于击穿电压来确定漂移层设计参数。漂移层设计参数包括漂移层的掺杂浓度和厚度。所述方法还包括制作具有带有所确定的漂移层设计参数的漂移层的SiC装置。该SiC装置具有在特定施加电压的特定TCR额定值。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 制作 带有 特定 地球 宇宙射线 tcr 额定值 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造碳化硅(SiC)装置的方法，包括:接收对在特定施加电压的特定地球宇宙射线(TCR)额定值的选择；至少基于在所述特定施加电压的所述特定TCR额定值来确定所述SiC装置的击穿电压；至少基于所述击穿电压来确定漂移层设计参数，其中所述漂移层设计参数包括所述漂移层的掺杂浓度和厚度；以及制作具有带有所确定的漂移层设计参数的漂移层的所述SiC装置，其中所述SiC装置具有在所述特定施加电压的所述特定TCR额定值。
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