[发明专利]用于制造场效应晶体管的方法有效
申请号: | 201780017476.8 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN108780756B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 松本真二;植田尚之;中村有希;安部由希子;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/316;H01L21/368;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王增强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种用于制造场效应晶体管的方法,所述场效应晶体管具有在所述第一氧化物层和第二氧化物层彼此相邻的区域中的前沟道或后沟道,所述方法包括:氧化物层形成步骤,用于形成是第二氧化物层的前体的第二前体层,以便与是第一氧化物层的前体的第一前体层相邻,然后将所述第一前体层和第二前体层分别转换为所述第一氧化物层和第二氧化物层,其中所述氧化物层形成步骤包括如下限定的处理(I)和(II)中的至少一个:(I)处理:用于涂覆能够形成第一氧化物前体并含有溶剂的涂布液;然后除去溶剂,由此形成第一前体层;和(II)处理:用于涂覆能够形成第二氧化物前体并含有溶剂的涂布液;除去溶剂,由此形成第二前体层。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造场效应晶体管的方法,所述场效应晶体管包括第一氧化物层和第二氧化物层并在所述第一氧化物层和第二氧化物层彼此相邻的区域中形成前沟道或后沟道,所述方法包括:形成是第二氧化物层的前体的第二前体层,以便与是第一氧化物层的前体的第一前体层接触,然后将所述第一前体层和第二前体层分别转换为所述第一氧化物层和第二氧化物层,形成包括以下处理(I)和(II)中的至少一个:(I)处理:涂覆第一氧化物前体形成涂布液,该第一氧化物前体形成涂布液能够形成第一氧化物的前体并含有溶剂;然后除去溶剂以形成是第一氧化物层的前体的第一前体层;和(II)处理:涂覆第二氧化物前体形成涂布液,该第二氧化物前体形成涂布液能够形成第二氧化物的前体并含有溶剂;然后除去溶剂以形成是第二氧化物层的前体的第二前体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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