[发明专利]基板处理装置、温度测定单元及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201780015489.1 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108780753B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 油谷幸则;桧山真 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;G01K1/14;H01L21/3065;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;刘伟志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种无论基板的成膜状态如何均能够简便地提高基板的温度测定精度的技术。提供一种基板处理装置，具备：基板载置部，其具有载置面且在该载置面上载置基板；加热部，其对载置于载置面的基板进行加热；和能够弹性的温度传感器，其顶端构成温度检测部，温度传感器从载置面之下延伸至载置面之上，顶端从载置面突出。另外，提供一种半导体器件的制造方法，具备：将基板载置于基板载置部的载置面并使突出到载置面上的温度传感器的顶端与基板背面接触、以顶端与载置面相比被下压到下方的方式使温度传感器弹性变形的工序；对基板进行加热的工序；和使用温度传感器对基板的温度进行测定的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 温度 测定 单元 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板载置部，其具有载置面，且在该载置面上载置基板；加热部，其对载置于所述载置面的所述基板进行加热；和能够弹性变形的温度传感器，其顶端构成温度检测部，所述温度传感器从所述载置面之下延伸至所述载置面之上，所述顶端从所述载置面突出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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