[发明专利]基板处理装置、温度测定单元及半导体器件的制造方法

说明书

提供一种无论基板的成膜状态如何均能够简便地提高基板的温度测定精度的技术。提供一种基板处理装置，具备：基板载置部，其具有载置面且在该载置面上载置基板；加热部，其对载置于载置面的基板进行加热；和能够弹性的温度传感器，其顶端构成温度检测部，温度传感器从载置面之下延伸至载置面之上，顶端从载置面突出。另外，提供一种半导体器件的制造方法，具备：将基板载置于基板载置部的载置面并使突出到载置面上的温度传感器的顶端与基板背面接触、以顶端与载置面相比被下压到下方的方式使温度传感器弹性变形的工序；对基板进行加热的工序；和使用温度传感器对基板的温度进行测定的工序。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、温度测定单元及半导体器件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中，公开了对基板进行加热处理的基板处理装置及使用该基板处理装置的半导体器件的制造方法。随着集成电路图案的微细化、基于低温处理实现的高集成化的发展，需要在基板的处理中准确地进行温度测定以及温度管理。作为温度测定方法，一般为使用放射温度计的非接触式的温度测定方法、或者使用在处理中的基板的支承部件埋入的热电偶的接触式的温度测定方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-33946号公报

发明内容

在上述非接触式的温度测定方法中，若作为基板而使用硅基板，则在硅基板的特性方面，放射温度计的低温下的测定波长的透过量变多，因此难以测定硅基板的低温域。另外，即使是对硅基板的透过量少的短波长的放射温度计，也难以进行低温域的测定。而且，根据基板的成膜状态，基板的辐射率会变化，因此需要按测定温度的每个基板而变更辐射率。

另一方面，在上述接触式的温度测定方法中，对埋入有热电偶的支承部件谋求硬度、耐热性、清洁性，其结果，使用了陶瓷。通常，陶瓷的热容大，若热电偶介于支承部件，则对基板的温度测定的灵敏度变差，难以实现准确的温度测定。而且，支承部件会被热源加热，因此会从支承部件受到热影响而难以实现准确的基板的温度测定。

本发明考虑上述课题，提供一种无论基板的成膜状态如何均能够简易地提高基板的温度测定精度的技术。

为了解决上述课题，本发明的一个实施方式的基板处理装置具备：基板载置部，其具有载置面，在该载置面上载置基板；加热部，其对载置于上述载置面的上述基板进行加热；以及能够弹性变形的温度传感器，其顶端构成温度检测部，上述温度传感器从上述载置面之下延伸至上述载置面之上，上述顶端从上述载置面突出。

发明效果

本发明具有如下优异效果：能够提供一种无论基板的成膜状态如何均能够简易地提高基板的温度测定精度的技术。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的概略俯视图。

图2是图1所示的基板处理装置的概略侧视图。

图3是图1所示的基板处理装置的处理室的放大剖视图。

图4是图3所示的处理室的放大立体图。

图5是表示图3及图4所示的处理室的基板处理部中配置的温度测定部的主要部分放大立体图。

图6是图5所示的温度测定部的侧视图(左视图)。

图7是表示图6所示的温度测定部的温度传感器的放大侧视图(图6所示的符号H部分的放大侧视图)。

图8的(A)是图5所示的温度测定部的主视图，图8的(B)是温度测定部的左视图，图8的(C)是温度测定部的右视图，图8的(D)是温度测定部的俯视图。

图9是图3所示的处理室的俯视图。