[发明专利]硅基板的研磨方法及研磨用组合物套组在审
| 申请号： | 201780014728.1 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108713242A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 高见信一郎;川崎雄介 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供：可共通地应用于电阻率互不相同的多种硅基板的研磨方法及该研磨方法中使用的研磨用组合物套组。由本发明提供的硅基板研磨方法包括：对研磨对象的硅基板在上述硅基板的研磨途中依次交替供给第1研磨浆料S1及第2研磨浆料S2。上述第1研磨浆料S1含有磨粒A1及水溶性高分子P1。上述第1研磨浆料S1的研磨效率高于上述第2研磨浆料S2的研磨效率。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 研磨浆料 硅基板 研磨用组合物 研磨效率 套组 水溶性高分子 交替供给 电阻率 共通 磨粒 应用 | ||
【主权项】：
1.一种研磨方法，其为对硅基板进行研磨的方法，所述方法包括：对于研磨对象的硅基板，在所述硅基板的研磨途中依次交替供给第1研磨浆料S1及第2研磨浆料S2，所述第1研磨浆料S1含有磨粒A1及水溶性高分子P1，所述第1研磨浆料S1的研磨效率高于所述第2研磨浆料S2的研磨效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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