[发明专利]半导体装置及使用该半导体装置的系统有效

专利信息
申请号: 201780014241.3 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN108701474B 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 黑川义元 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12;G06G7/60;G11C11/405
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 金红莲;钱慰民
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种能够进行积和运算的半导体装置。一种包括第一存储单元、第二存储单元以及偏置电路的半导体装置。第一存储单元保持第一模拟数据,而第二存储单元保持参考模拟数据。第一存储单元和第二存储单元在被供应作为选择信号的参考电位时分别供应第一电流和第二电流。偏置电路具有产生相当于第一电流与第二电流之间的差值电流的第三电流的功能。在半导体装置中,第一存储单元和第二存储单元在被供应作为选择信号的对应于第二模拟数据的电位时分别供应第四电流和第五电流。通过从第四电流与第五电流之间的差值电流减去第三电流,得到根据第一模拟数据与第二模拟数据的积之和的电流。
搜索关键词: 半导体 装置 使用 系统
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:存储单元阵列;以及偏置电路,其中,所述存储单元阵列包括第一存储单元及第二存储单元,所述偏置电路包括第一恒流电路、第二恒流电路、第一至第三晶体管、第一电容元件、第一布线、第二布线、第一输出端子、第二输出端子以及电流镜电路,所述第一恒流电路电连接于所述第一布线,所述第一恒流电路构成为将第一电流供应到所述第一布线,所述第一晶体管的第一端子电连接于所述第二晶体管的第一端子,所述第一晶体管的栅极电连接于所述第二晶体管的第二端子,所述第二晶体管的所述第一端子电连接于所述第一布线,所述第三晶体管的第一端子电连接于所述第二晶体管的所述第二端子,所述第一电容元件的第一端子电连接于所述第一晶体管的所述栅极,所述第一布线电连接于所述第一输出端子,所述第二恒流电路电连接于所述第二布线,所述第二恒流电路构成为将第二电流供应到所述第二布线,所述第二布线电连接于所述第二输出端子,所述电流镜电路构成为将对应于所述第二布线的电位的第三电流从所述第一布线及所述第二布线输出,所述第一存储单元电连接于所述第一输出端子,并且,所述第二存储单元电连接于所述第二输出端子。
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