[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 201780014056.4 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108701606A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 柴山宣之;江户彻;蒲裕充 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;崔炳哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的基板处理方法，包含：基板保持步骤，使基板保持于基板保持单元；含臭氧氢氟酸溶液供给步骤，对保持于上述基板保持单元的上述基板的一个主面，供给在氢氟酸溶液中溶解有臭氧的含臭氧氢氟酸溶液；刷清洗步骤，在上述含臭氧氢氟酸溶液供给步骤之后，使清洗刷接触上述基板的上述一个主面，由此对该一个主面进行清洗；臭氧水供给步骤，在上述含臭氧氢氟酸溶液供给步骤之后且在上述刷清洗步骤开始之前，或与上述刷清洗步骤并行，对上述基板的上述一个主面供给臭氧水。 | ||
| 搜索关键词： | 氢氟酸溶液 臭氧 供给步骤 主面 清洗 基板 基板保持单元 基板保持 基板处理 臭氧水 基板处理装置 清洗刷 并行 溶解 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，包含：基板保持步骤，使基板保持于基板保持单元；含臭氧氢氟酸溶液供给步骤，对保持于上述基板保持单元的上述基板的一个主面，供给在氢氟酸溶液中溶解有臭氧而成的含臭氧氢氟酸溶液；刷清洗步骤，在上述含臭氧氢氟酸溶液供给步骤之后，使清洗刷接触上述基板的上述一个主面，由此对该一个主面进行清洗；以及臭氧水供给步骤，在上述含臭氧氢氟酸溶液供给步骤之后且在上述刷清洗步骤开始之前，或者，与上述刷清洗步骤并行，对上述基板的上述一个主面供给臭氧水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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