[发明专利]磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器有效
| 申请号： | 201780009225.5 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN108604573B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;G06N3/06;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明所涉及的磁壁利用型模拟存储元件(100)具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；磁化固定层(5)，经由非磁性层(6)被设置于第3区域；下部电极层(4)，在第3区域的设置有磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于从俯视图看与磁化固定层相重叠的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 模拟 存储 元件 以及 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，具备：磁壁驱动层，具有磁壁、第1区域、第2区域、和位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域；磁化固定层，经由非磁性层而设置于所述第3区域；以及下部电极层，在所述第3区域的设置有所述磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于俯视时与所述磁化固定层相重叠的位置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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