[发明专利]碳化硅单晶衬底有效
| 申请号： | 201780007967.4 | 申请日： | 2017-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108495957B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 冲田恭子;樱田隆;高须贺英良;上田俊策;佐佐木将;梶直树;三岛英彦;江口宽航 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G01N23/207 | 分类号： | G01N23/207;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在检测器6配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[‑1100]方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底包含相对于(0001)面在<11‑20>方向上倾斜的主面，在沿与主面垂直的方向观察时检测器配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括所述主面的中心的第一测量区域、且使用所述检测器测量来自所述第一测量区域的衍射X射线的情况下，在6.9keV～11.7keV范围内所述衍射X射线的第一强度分布的最大强度对所述第一强度分布的背景强度之比大于或等于1500，在沿与所述主面垂直的方向观察时所述检测器配置于平行于[‑1100]方向的方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域、且使用所述检测器测量来自所述第一测量区域的衍射X射线的情况下，在8.0keV～9.5keV范围内所述衍射X射线的第二强度分布的最大强度对所述第二强度分布的背景强度之比大于或等于1500，在沿与所述主面垂直的方向观察时所述检测器配置于[11‑20]方向并且用X射线照射的位置在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的范围内变化的情况下，在所述第一强度分布指示在6.9keV～11.7keV范围内的最大值时的能量的最大值与最小值之差的绝对值小于或等于0.06keV。
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