[发明专利]用于毫秒退火系统的预热方法有效
| 申请号： | 201780005290.0 | 申请日： | 2017-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN108475641B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 保罗·蒂曼斯 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于毫秒退火系统的预热方法。在一个示例性实施方案中，热处理方法可以包括：将基底置于在毫秒退火系统的处理室中的晶片支承件上；将基底加热至中间温度；以及使用毫秒加热闪光加热基底。在将基底加热至中间温度之前，所述方法可以包括将基底加热至预烘温度持续均热时段。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 毫秒 退火 系统 预热 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于毫秒退火系统的热处理方法，所述方法包括：将基底置于在毫秒退火系统的处理室中的晶片支承件上；将所述基底加热至中间温度；以及在将所述基底加热至所述中间温度之后，使用毫秒加热闪光加热所述基底；其中在将所述基底加热至所述中间温度之前，所述方法包括将所述基底加热至预烘温度持续均热时段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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