[实用新型]流体控制系统有效
申请号: | 201721921214.8 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN207750743U | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 彭日宇;何传奇 | 申请(专利权)人: | 成都士兰半导体制造有限公司 |
主分类号: | F17D1/04 | 分类号: | F17D1/04;F17D3/01 |
代理公司: | 北京博讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11593 | 代理人: | 柳兴坤 |
地址: | 610404 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及流体控制系统。在一方面中,公开了一种用于半导体生产设备的流体控制系统。所述半导体生产设备包括炉本体,所述炉本体包括适于在其中生成半导体层的反应腔室和适于在其中容纳旋转传动部件的旋转腔室,所述流体控制系统包括适于将工艺流体供应至所述反应腔室以生成所述半导体层的第一流体管路部分。所述流体控制系统还包括适于将保护流体供应至所述旋转腔室以保护所述旋转传动部件的第二流体管路部分。根据本实用新型,能够使旋转轴不容易腐蚀,延长了旋转轴的使用寿命,节约了设备维护成本。 | ||
搜索关键词: | 流体控制系统 半导体生产设备 旋转传动部件 本实用新型 半导体层 反应腔室 旋转腔室 炉本体 旋转轴 设备维护成本 第二流体 第一流体 工艺流体 流体供应 使用寿命 容纳 腐蚀 节约 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体生产设备的流体控制系统,所述半导体生产设备包括炉本体,所述炉本体包括适于在其中生成半导体层的反应腔室和适于在其中容纳旋转传动部件的旋转腔室,所述流体控制系统包括适于将工艺流体供应至所述反应腔室以生成所述半导体层的第一流体管路部分,其特征在于,所述流体控制系统还包括适于将保护流体供应至所述旋转腔室以保护所述旋转传动部件的第二流体管路部分。
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